基本信息
| 标准名称： | 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 |
| 英文名称： | Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 3389-2008代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1992-02-19 |
| 实施日期： | 1992-10-01 |
| 首发日期： | 1992-02-19 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业总公司 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 起草人： | 过惠芬、陈永同、吴道荣 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1992-10-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：19， 字数：34000 |
适用范围
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001~10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012~5×1020cm-3(电阻率0.0002~4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法